mSATA SSD MO-300

組込みシステム・産業用・工業用 インダストリアルSATA SSDモジュール mSATA SSD(MO-300)

 SwissbitのmSATA SSDは、高い信頼性と耐久性を追求して設計されたハイエンド向けのSLC NAND搭載シリーズと、WAFを極限まで減らし、SLC並みのランダムライト性能と驚異の書き換え耐性を備えるdurabit™ MLC NAND搭載シリーズをラインナップしています。

 SLC NAND搭載X-600mシリーズは、新しいプロテクション技術を取り入れた電源断データロス対策強化モデルです。
アクセス中の電源遮断でも、保存したデータを確実に保護します。
 MLC NAND搭載のX-60mシリーズは、ページベースFTLを使用したdurabit™管理技術が装備され、従来の書込み寿命管理方法に対して大幅な耐久性を実現しました。 オーバープロビジョニング機能、DRAMキャッシュ搭載、そしてPBM(ページベースマッピング)を組み合わせたMLCベースストレージの高信頼モデルです。

 SATA-IIIインターフェースサポートのSSDモジュールシリーズは、高機能のページベースFTLファームウェアにより、リードディスターブの影響を消去し、リードリフレッシュとECCによるエラー処理、同様に温度環境に依存するアンコレクタブルページ改善のためのリードリトライ処理がされます。
 さらに当社独自設計のファームウェアが、耐性や信頼性を最大限に有効化し、FA機器を始めとする幅広い産業用システムで効果を発揮します。
そして、高いパフォーマンス性を維持する為だけの設計ではなく、長期安定性能を確実にするため、品質バラつきを徹底低減するための予測因子、重要因子を分析し、設計段階から「エンベデッドシステムが要求する」メモリストレージ性能を追求しています。

Swissbit mSATA SSD MO-300 イメージ

基本情報

  • X-600m/X-60m/X-66mシリーズ :SATA-III 6Gbit/s ATA 8、 SATA-II 3Gbit/s
  • X-200m/X-200sシリーズ :SATA-II 3Gbit/s, PIO / MWDMA / UltraDMA対応。
  • SLC/MLC(durabit™)/pSLC(everbit™) NANDフラッシュ搭載シリーズ
  • Low Power CMOSテクノロジー、 ハードウェア RS-Code ECC
  • 高バランス ウェアレベリング アーキテクチャ
  • バッドブロックマネジメント、 S.M.A.R.T.機能
  • Secure erase & Write protect
  • NCQ・ Trim機能 、データケアマネジメント
  • ライフタイムモニタリングツール(S.M.A.R.T機能)
  • ファームウェア カスタマイズ エンジニアリング、ファームウェア フィールドアップデート
  • 電源断対策強化設計
  • 評価サポートツール (開発評価時も運用時でも「寿命」「エラー」「動作中の電源断」診断が可能)
  • RoHS/WEEE/REACH Compliant

搭載機能

  • 温拡サポート
  • ESD/EMI 総合対策設計
  • 衝撃・振動 対策設計
  • 寿命監視(LTM) および S.M.A.R.T機能
  • セキュアイレース / ファストイレース
  • ポリウレタンフィルム保護コート
  • 温度センサ搭載
  • 電源断防止機能、リカバリ機能搭載
  • ウェアレベリング
  • リードオンリーモードへの最適化
  • TRIMサポート(パフォーマンス向上)
  • ケアマネジメント
  • 長期製品供給
  • ライトアンプリフィケーション(WAF)低減対策

シリーズ別 特長比較

高信頼技術と寿命監視

 新しいプロテクション技術を取り入れた電源断対策、ATAセキュリティ機能、データケアマネジメント、NCQ高速処理、トリム機能を装備し、また寿命監視ツールとして、Windows/LinuxツールやSDKにより、詳細なS.M.A.R.T.情報の取得や、バッドブロックの管理が可能です。
更にシステム設置後でもSSDのファームウェアを最新のものへ更新することが出来る「フィールドアップデート機能」を装備しています。

SATA-IIIファミリー機能

◆データケアマネジメント
Swissbitではデータ保持信頼性に対し、次の技術を取り入れ記録したデータを守ります。
◊リードリフレッシュ(Read Refresh)
データの読込みが主な用途でも記録したデータのエラー変化を監視し、適切なタイミングでデータリフレッシュを行います。
◊ニアミスECC(Near miss ECC)
各データのECCビット変化を監視し、データ修復可能な安全なデータコンディションの段階でリフレッシュを行います。
◊リードディスターブ、データリテンション対策
リードディスターブやデータリテンションの限界値、温度条件へ より高度なリフレッシュマネジメントとバッドブロックマネジメント対策で、最先端プロセスNANDへの最適化を行います。
◆長寿命化技術
NANDフラッシュの主な寿命要因は、「消去/書込みによるトンネル酸化膜の劣化」です。 そのため「ページベースマッピング(PBM)技術」を採用し消去発生回数を抑え長寿命化を実現しました。DRAMキャッシュを搭載したモデルでは、長寿命化と合わせて転送速度の高速を実転しています。

シリーズ別 仕様比較

シリーズ名 X-66m X-60m X-600m X-200m
規格・インターフェース SATA-III,6 Gbit/s,ATA8 SATA II – 3 Gbit/s
~PIO4, MDMA2, UDMA6
フォームファクタ 52 pos. Edge Connector, PCI Express (PCIe) mini
外形寸法 50.8 x 29.85 x 3.3 mm
フラッシュタイプ pSLC
everbit™
MLC
durabit™
SLC SLC
容量 16GB – 240GB 8GB – 480GB 8GB – 128GB 2GB – 64GB
データリテンション 10years@ life begin/, 1year @life end
書換え寿命 max. 13TBW per GB drive capacity(JESD219 Client Workload) max 2.0TBW per GB drive capacity(JESD219 Client Workload) max 3.19TBW per GB drive capacity(JESD219 Client Workload) 100,000 P/E cycles(Flash cell level)
動作温度 C:0~70℃, I:-40~85℃
保存温度 -40°C ~ +85°C
パフォーマンス        
Seq.Read(MB/s) up to 520 Up to 520 Up to 520 Up to 120
Seq.Write(MB/s) up to 450 Up to 450 Up to 405 Up to 95
Ran. 4KB Read(IOPS) up to 80,000 Up to 75,000 Up to 76,000

Up to 3,100

Ran. 4KB Write(IOPS) up to 75,000 Up to 75,000 Up to 73,000 Up to 25
寿命耐性        
MTBF ≥2,000,000 hours ≥2,000,000 hours ≥2,000,000 hours ≥2,000,000 hours
衝撃 1,500 G, 0.5 ms 1,500 G, 0.5 ms 1,500 G, 0.5 ms 1,500 G, 0.5 ms
振動 50 G, 131-2,000 Hz 50 G, 131-2,000 Hz 50 G, 131-2,000 Hz 50 G, 131-2,000 Hz
湿度条件 85 % RH 85°C, 1,000 h 85 % RH 85°C, 1,000 h 85 % RH 85°C, 1,000 h 85 % RH 85°C, 1,000 h
電源電圧 3.3 V ± 5 %
消費電力 typ 409 mA
max 610 mA
Idle 115 mA
DEVSLP 35 mA
typ 500 mA
max 960 mA
Idle 115 mA
DEVSLP 35 mA
typ 450 mA
max 750 mA
Idle 115 mA
DEVSLP 35 mA
typ 300 mA
max 490 mA
Idle 180 mA
製品特長、各種ツール
  • Pseudo SLC NAND(20,000P/E サイクル)
  • NCQ, TRIM
  • SBLTM、SDKによる寿命監視機能
  • ファームウェア フィールドアップデート機能
  • 電源断強化対策
  • NCQ、TRIM
  • 高度なウェアレベリングとバッドブロック管理技術
  • ファームウェア フィールドアップデート機能
  • SBLTM、SDKによる寿命監視機能
  • 電源断強化対策
  • 高度なウェアレベリングとバッドブロック管理技術
  • SBLTM、SDKによる寿命監視機能
製品型番 SFSAxxxxUvAAxss-t-dd-rrr-ccc SFSAxxxxUvBRxss-t-dd-rrr-ccc

durabit  - 'the better MLC'

低コストで高い信頼性と驚異の書き換え寿命!
WAFを極限まで減らし、MLCでもSLC並みのランダムライト性能で高パフォーマンス、長寿命!

WAFリダクション:ライトアンプリフィケーション(WAF)低減対策

ホストからのデータ転送量と、カード内部の書込みデータ量の比は「WAF(書き込み増幅率)」と呼ばれ、その比率の理想数値は1。 WAF数値が大きくなるとディスク寿命が短くなります。
ただし、使用するNANDフラッシュの仕様、ファームウェアのアーキテクチャ、データ管理の構造など、数百の条件が関わり その数値は変化します。
更にWAFは IOPSレートに影響をうけます。 WAFが100の場合、カード内部の消去回数は、外部データ量に対して100倍になり、NANDフラッシュ単体での寿命予測に対して100倍早く寿命を迎えることになります。
Swissbitでは、書込み寿命の短いMLCでも高機能のページベースFTLファームウェアにより、WAFを極限まで減らし、SLC並みのランダムライト性能で高い書き換え耐性(高寿命化)を実現します。

WAF REDUCTION
NANDフラッシュ
特長比較
SLC pSLC
everbit™
Better MLC
durabit™
MLC TLC
++++ 超高      +++ 高      ++ 中      + 低
チップ容量 ++ ++ +++ +++ +++
コスト per bit ++++ +++ ++ ++ +
信頼性 & 寿命 ++++ ++++ +++ ++ +
動作保証温度 ++++ +++ +++ +++ +
書き込み速度 ++++ ++++ ++++ +++ +
ECC 要求 + ++ ++ ++ ++++
データリテンション ++++ +++ +++ +++ +
長期供給性 ++++ ++ ++ ++ +